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Si基SiGe异质结构因其优良的性质,与成熟的Si工艺相兼容,成为制备高性能硅基微电子与光电子器件的重要材料。SiGe弛豫衬底克服了SiGe晶格失配的限制,是实现高性能Si基SiGe光电子与微电子器件集成的理想平台。传统的SiGe弛豫衬底的制备方法是采用Ge组分渐变缓冲层,为了获得较高的Ge组分,其外延厚度达数μm,外延非常耗时,且表面粗糙度较大,需进行化学机械抛光,成本很高。因此需要寻找一种能够制备表面平整、表面Ge组份较高、厚度较薄的有效的弛豫衬底的方法,以降低成本和方便后续器件制作工艺。