随着信息时代的来临,面对日常生活中爆炸式增长的数据,如何进一步提高半导体存储器的存储性能,比如更高的存储密度、更快的运行速度、更低的器件功耗,更便宜的价格,这些成为了存储器领域的核心问题。而在众多新型的非易失性存储器中,阻变式存储器是一种有潜力将尺寸下降到10 nm以下,运行速度达到亚纳秒级别,功耗小于0.lpJ,具有超高耐久性的新型存储器。另外,随着二维材料研究的深入,人们尝试利用二维材料来制备阻变存储器,直接利用二维材料或者其衍生材料作为工作层,充分利用二维材料的特性,器件性能得到了提升。因此,本论文主要制备并研究了基于ZnO薄膜的阻变存储器。通过改变ZnO阻变存储器的电极材料,电极尺寸,ZnO薄膜厚度等参数,系统研究了这些因素对器件性能的影响,结果表明Ag(3 0nm)/ZnO(～90nm)/Pt器件具有最优的存储性能。根据不同制备参数下器件表现出的开关行为,探究了ZnO阻变存储器的存储机制,我们认为Ag/ZnO/Pt器件中金属导电通道机制和氧空位导电通道机制是共存的。本论文还制备并研究了基于多层黑磷薄膜的阻变存储器。Ag/BP/Au器件set过程不明显,reset电压比较稳定,开关比较小,循环次数少。通过对Ag/BP/Au器件导电机制的分析,我们认为Ag/BP/Au器件是通过工作层内Ag导电细丝的熔断和重组控制其开关性能的。