目的：应用BORN-BE无创脑水肿动态监护仪对颅内占位病变行开颅手术后病员进行连续监测,观察其脑水肿变化的规律,探讨其在开颅术后脑水肿连续监测中的临床意义,以达到指导临床治疗的目的。方法：采用BORN-BE无创脑水肿动态监护仪,通过观察双侧大脑半球脑电阻抗(cerebral electrical impedance,CEI)扰动系数的变化,测定30例幕上占位病变患者术前1d及术后1～10d每天脑水肿的变化情况。10例无颅脑疾病者为对照组,同样测定双侧大脑半球脑电阻抗扰动系数。结果：30例患者术后第2～9d手术侧的脑电阻抗扰动系数均不同程度地高于健侧,以3～7d为明显,差值大于0.3,对比差异有显著性意义(P<0.01)。术前1d和术后第1d、术后第10d两侧相差不明显,每一病例同一天的差值均小于0.3,无显著差异(P>0.05)。健康对照组双侧脑电阻抗扰动系数值非常接近,差值小于0.3,对比差异则无显著性意义(P>0.05)。结论：(1)无创脑水肿动态监护仪可反映脑水肿动态变化。(2)肿瘤病人术前1天的两侧脑电阻抗扰动系数值相差不明显,主要表现在术后。(3)对于幕上开颅术后的病人,可指导和评价脑水肿的治疗,但有时候需结合CT等影像学资料。