【摘 要】
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伴随新型有机材料的逐步发现和制作工艺的逐渐改进,有机场效应晶体管(OFET)已经开始其迅猛的发展。OFET因为其具有柔性、低成本、可大面积制作的优点已经在柔性显示、有机传感器、分布便携式设备等领域有广泛的应用。溶液法作为制备OFET的一种方法,具有操作简单、制作方便、对制备设备要求低的优点,对该方法的优化将会有力推动OFET的发展。首先,本文探索了多种溶液制作方式与器件性能之间的关系。选用提拉、涂
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伴随新型有机材料的逐步发现和制作工艺的逐渐改进,有机场效应晶体管(OFET)已经开始其迅猛的发展。OFET因为其具有柔性、低成本、可大面积制作的优点已经在柔性显示、有机传感器、分布便携式设备等领域有广泛的应用。溶液法作为制备OFET的一种方法,具有操作简单、制作方便、对制备设备要求低的优点,对该方法的优化将会有力推动OFET的发展。首先,本文探索了多种溶液制作方式与器件性能之间的关系。选用提拉、涂抹、旋涂和滴膜方法,以P3HT作为有源层材料,制备并研究了 P3HT-OFET器件,分析器件性能和薄膜形貌之间的对应关系。经比较得到,使用旋涂法所得器件性能最好,其迁移率(3.2124×10-3cm2/Vs)是其他方法的2倍。其次,探索了旋涂转速、退火方式和电极等基本工艺。当以1400rpm的速度旋涂P3HT溶液、用真空干燥箱退火、以Au作为源漏电极时,所得器件的性能较好,其迁移率(7.532×10-3cm2/Vs)比优化前提高了 1.3倍,使用优化参数为后续实验提供参考。然后,本文使用PVP-PMP-PGMEA作为介电层溶液,在P3HT-OFET最优参数的基础上,使用旋涂法制作PVP层。通过分析器件电学特性和薄膜形貌得出:使用PVP作为介电层,其平均晶粒尺寸从276nm增加到1.154μm,提高了半导体材料的平均晶粒尺寸,促进了载流子传输。所得器件的迁移率(9.318×10-3cm2/Vs)与没有加入PVP的器件相比提高了 24%,说明在基础器件中加入PVP层对器件的性能有提高作用。最后,本文使用HMDS对SiO2表面进行修饰,并讨论了介电层-半导体交界面特性与器件性能之间的关系。本文在P3HT-OFET最优参数的基础上,以3500rpm转速旋涂HMDS溶液。通过分析器件电学特性和薄膜形貌得出:当使用表面修饰后,得到的薄膜平均晶粒尺寸由276nm增加到408nm,器件性能更好,经表面修饰后器件的迁移率为8.866×10-3cm2/Vs,增加了 18%,说明使用HMDS修饰介电层表面可以提高器件性能。
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