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自2008年惠普公司利用忆阻器件建立了忆阻器的物理模型以来,忆阻器在新型非易失存储、逻辑运算和大脑神经功能模拟方面都展现出了巨大的应用潜力。近年来随着人工智能的兴起,从硬件上设计并开发出能够模拟人脑学习、遗忘和认知的纳米器件尤为重要。因此利用忆阻器去模拟大脑不同类型的神经功能成为忆阻器研究领域的热点。通过对忆阻器中电极材料的优化选择、制备过程的调控以及器件结构的设计可有效控制阻变过程中的各类物理变量,进而得到能够模拟复杂神经功能的阻变特性。本论文的研究工作主要围绕以上关键内容展开:一、研究了电预处理