AlGaN基深紫外发光二极管(LED)是一种新型的固态紫外光源。相对于传统的紫外汞灯,AlGaN基紫外LED具有体积小、重量轻、功耗低、寿命长、环境友好、发光波长连续可调等诸多方面的优点。因此,在紫外相关应用领域获得了广泛关注并开始渗透到汞灯的一些传统应用领域。但是,由于高Al组分AlGaN材料中缺陷密度高、量子阱区极化效应较强、空穴注入效率低以及c面AlGaN材料出光困难等问题,AlGaN基紫外LED的外量子效率仍然远远低于已经商业化的InGaN基蓝光LED。发光功率不足和量子效率偏低严重阻碍了紫外LED的应用。针对紫外LED面临的关键技术问题,本文采用金属有机化学气相外延(MOCVD)从AlN、AlGaN材料的外延制备出发,结合AlGaN/AlGaN多量子阱(MQWs)和电子阻挡层(EBL)结构的理论设计和实验验证,通过深紫外LED结构的外延生长工作最终实现了多个波段输出光功率达到毫瓦量级的深紫外LED器件。本文中的研究内容主要有以下几个方面：(1)通过采用脉冲原子层外延(PALE)和传统连续生长的结合,获得了高质量的AIN模板。通过对PALE过程中Ⅴ/Ⅲ比的调节,提高A1N生长速度的同时改善了A1N的晶体质量。采用优化后的PALE生长工艺结合连续生长方式,有效改善了AlN薄膜的晶体质量和表面形貌。此外,我们还详细地研究了在A1N外延过程中采用中温A1N插入层技术改善样品晶体质量的机理。(2)首次在n型Al0.45Ga0.55N材料外延生长过程中引入SiNx原位掩膜生长技术以降低位错密度。通过优化SiNx生长时间有效改善了薄膜的晶体质量,并建立模型阐述了SiNx插入层上Al0.45Ga0.55N的生长机理。(3)成功制备了厚度达到2.5μm表面无裂纹的Si掺杂Al0.46Ga.54N。研究了不同周期数的AIN/AlGaN超晶格对Si掺杂Al0.49Ga0.51N的作用。在此基础上,采用设计的两套平均组分递减的AlGaN/AIN超晶格结构成功生长出厚度达到2.5μm,表面无裂纹的n型Al0.46Ga0.54N材料,其中n型载流子浓度达到3.09×1018cm-3。(4)通过仿真和实验研究了AlGaN/AlGaN多量子阱(MQWs)中阱厚度和Si掺杂对AlGaN/AlGaN MQWs发光性能的影响。最终,我们采用阱厚度3nm和阱、垒Si掺杂的设计,获得了290nm发光效率较高的MQWs。(5)采用APSYS软件对UV-LED中的EBL进行了研究。结果证明所提出的Al组分沿生长方向渐变(0.9-0.4)设计的EBL能够有效改善电子的阻挡和空穴的注入。与采用Al0.7Ga0.3N EBL结构的样品相比,采用Al组分渐变EBL的UV-LED在发光功率和内量子效率方面表现出了明显的提升。(6)通过理论模拟和实验系统研究了多量子阱结构中最后垒的掺杂对器件性能的影响。通过实验,证明了最后垒中靠近EBL方向的一半厚度进行Mg掺杂能够有效提升UV-LED的性能,这与理论模拟结果符合较好。