Ni-MH电池作为一种高比能量的二次电池具有广泛的应用前景，目前国内外对Ni-MH电池的研究和开发都给予了极大的关注。氢氧化镍是Ni-MH电池的正极活性物质。本文用化学共沉淀法合成了掺杂α-Ni（OH）₂，探讨了合成工艺条件对产品性能的影响；测定了在不同倍率的充放电制度下各掺杂镍电极的放电容量、放电平台电压和活性物质利用率；考察了各掺杂元素对掺杂α-Ni（OH）₂性能的影响；通过对掺杂α-Ni（OH）₂粉末微电极的电化学测试，研究了α-Ni（OH）₂电极的电化学特性。测定了掺杂Cu²⁺、Mn²⁺、Zn²⁺、Fe²⁺、Co²⁺、Fe³⁺、Mn³⁺、Al³⁺和Co³⁺的氢氧化镍电极的充放电性能，结果表明掺杂三价金属元素普遍比掺杂二价金属元素好，因此本文选择了掺杂Al³⁺，并且对掺杂α-Ni（OH）₂样品进行一系列的研究。 掺杂α-Ni（OH）₂的合成实验结果表明：反应工艺条件中pH值对产品性能的影响很大，pH值低，产品疏松，振实密度小，pH=12时可以制备出性能优良的掺杂α-Ni（OH）₂，除此之外，掺杂元素含量也是一个重要影响因素，掺杂20％以上才能得到纯α型结构的氢氧化镍，其它工艺条件如反应温度、陈化温度等等对产品性能的影响不太明显，一般容量变化只在几毫安时/克之间变化。 掺杂α-Ni（OH）₂粉末微电极的循环伏安曲线表明：随着扫描速度从1mv/s到10mv/s范围内的增大，阳极峰朝正方向移动，阴极峰朝负方向移动，并且阳极峰电流中与扫描速度的平方根V^1、2具有很好的线性关系。它的质子扩散系数D°为2.35×10^-10，与β-球型氢氧化镍的质子扩散系数D°=3.80×10^-10相接近。 不同荷电态电池的Nyqnist图表明：它们在高频端出现代表电化学极化阻抗的圆弧，低频端出现代表扩散过程Warburg阻抗的直线。并采用Boukamp的EQUIVCRT.PAS软件对阻抗谱图进行数据处理。