不同形貌的Ⅱ-Ⅵ族纳米材料的制备及光学性能研究

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随着集成化的发展,小尺寸的半导体纳米材料扮演的角色越来越重要。当材料的尺寸变小时,量子效应使得半导体纳米材料具有与体材料完全不同的光电及力学性质。其中宽禁带的Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米材料更是在光电子器件、太阳能电池、激光器等方面有着广泛的应用。本文研究了CdSe/CdTe四角状纳米异质结构的可控合成及其光学性质;研究了ZnSe微米球的可控制备以及多壳层ZnSe核壳结构微米球的可控制备和光催化性能。具体研究内容如下:1.通过简单的化学方法在溶液中合成具有Ⅱ型能带排列的CdSe/CdTe异质节四角状纳米晶粒。
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