半导体紫外光电探测器在民用、军事以及商业方面都有着广泛的应用,近年来引起了人们的极大研究兴趣。ZnO由于其优异的光学以及电学性质,在紫外光电探测器领域有着广泛的应用前景。全透明是电子产品未来发展的必然趋势,因此本文新提出在价格低廉的普通玻璃衬底上、常温下制备全透明ZnO薄膜,以ZnO紫外光电探测器的制备及其光电性质的研究为中心展开,对ZnO薄膜本身的制备和表征、紫外探测器的制备和表征分别进行了深入的研究。首先选用磁控溅射法在普通玻璃衬底上制备ZnO薄膜,利用XRD以及PL分析比较了不同工艺参数下制备的样品的薄膜质量。先后研究了溅射功率、溅射压强和退火处理对薄膜结晶质量的影响,经过分析比较XRD的特征衍射峰强度、半宽高、晶粒尺寸大小,以及比较PL谱中由缺陷引起的峰的强弱,得出最佳工艺参数。随后在ZnO薄膜上制备MSM结构紫外光电探测器,探索不同功函数的金属电极、退火与否以及不同的退火气氛、不同的叉指对数对探测器性能的影响,性能测试包括Ⅰ-Ⅴ特性曲线、开关比以及紫外光响应度、紫外可见光抑制比等。所制备的ZnO紫外探测器的成本低廉,性能良好,在可见光区域透过率高于90%,实现了在普通玻璃衬底上、常温下制备全透明ZnO紫外光电探测器。在保证紫外光电探测器性能的同时,成本大大减小,所开展的工作对ZnO薄膜在光电领域的应用具有一定的意义。