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现代科技的核心力量便是纳米科技。一维纳米材料因其独特的结构和优异的物理化学性质,成为构筑纳米元器件的理想材料。在众多纳米材料中,WO3因其在电致色变、气敏传感器、阻变存储器和超导方面有着显著的特性,受到广泛的关注与研究。本文在室温下测试了多种氛围对WO3纳米线电学性能的影响,对WO3纳米线表现出的忆阻效应进行了深入研究。通过多次实验,我们发现WO3纳米线所表现出的忆阻性能是可以被调控的。主要研究结果如下:1、本文使用的WO3纳米线,是通过水热法得到的单分散性好的纳米线。我们对所制备的WO3纳米线进行了表征(包括XRD,SEM,EDS等),并利用深紫外光刻微加工技术将其构建成一维纳米器件。2、室温下,我们在空气和真空环境中通过不同电压对WO3纳米器件进行循环伏安法测试,发现其为双端欧姆接触,并在大电压下表现出良好的忆阻效应。实验中通过恒压加脉冲的测试方法更直观地观察到了忆阻特性。3、在室温下测试了WO3一维纳米器件在H2S气氛中以及大气中的电学性能。发现在H2S气氛下WO3纳米器件电导有所增加,忆阻性能减弱。与此同时,做了同族元素化合物H2O气氛下(即不同湿度下)的对比实验。发现在H2O的影响下WO3纳米器件电导减小,忆阻性能减弱。4、本文还通过改变测试条件实现了对WO3纳米线器件忆阻性能的控制,不仅能改变忆阻特性大小,还能将WO3纳米线的忆阻特性进行反转,即将原I-V曲线表现为上相交的“8”字形改变为下相交的“8”字形。我们希望在后续的研究中能够针对WO3纳米线对气体的吸附作用做更多的研究,同时希望在WO3纳米线忆阻效应上实现精确的控制。