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ZnO具有纤锌矿晶体结构，禁带宽度为3.37eV，激子束缚能为60meV，可以实现室温下的激子发射。氧化锌作为新一代的宽带半导体材料，具有广泛的应用，如：ZnO薄膜可以制成表面声波谐振器，压电器件，GaN蓝光薄膜的过渡层以及透明导电膜等。在ZnO光电特性研究中，制备结型器件是ZnO薄膜实用化的关键。而实现ZnO基结型器件的前提也自然成了这一领域关注的焦点，即：ZnO可靠p型掺杂的实现和ZnO能带的调节。 本文采用RF反应磁控溅射方法在Si(100)和石英衬底上生长了Zn