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含氟碳膜是一种很有应用前景的集成电路用介质材料，其低的介电常数和较好的热稳定性使它可以取代传统的SiO_2作为致密、高速集成电路的金属互连线间的绝缘隔离层，从而提高集成电路的速度和效率。本文系统阐述了薄膜的特点、制备方法以及用途，在综述前人工作的基础上，通过大量实验，用CF_4和CH_4作反应气体，以玻璃、石英和抛光硅片为基底，采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备了不同工艺条件下的含氟碳膜，测量了薄膜的厚度和介电常数，探讨了薄膜沉积速率、介电常数与沉积工艺的关系；测量了薄膜的折射率，并用