镱铒掺杂GZO陶瓷的制备及上转换发光性能研究

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选用高温固相法制备一系列Ga3+、Yb3+、Er3+不同掺杂浓度的Yb/Er/GZO多晶样品。利用热重-差示扫描量热法(TG-DSC),分析拟定预烧工艺流程,通过X-射线衍射测试分析,确定最佳预烧温度。对制得的Yb/Er/GZO多晶样品进行上转换光谱测试和SEM测试,确定最佳的烧结温度。通过正交试验,发现掺杂离子间存在不可忽略的交互作用,并得到掺杂离子对Yb/Er/GZO多晶样品上转换发光影响的趋势图,初步确定掺杂离子的浓度范围。随后,对Yb/Er/GZO多晶样品进行单因素试验,对试验所得样品进行上转换发光光谱测试,最终确定Ga3+、Yb3+、Er3+离子最佳掺杂浓度分别为:4mol%、3mol%、7mol%。通过Yb/Er/GZO多晶样品进行上转换发光光谱测试和功率曲线测试,发现上转换光谱中绿光和红光发射都是两光子过程。上转换绿光发射对应2H,4S411/23/2I的15能/2级跃迁;上转换红光发射对应4F49/2I15/2的能级跃迁,当Er3+离子浓度较大时,相邻Er3+间可能存在交叉弛豫现象。上转换红光寿命为137.2μs,上转换绿光寿命为129.0μX。上转换绿光寿命比红光寿命短以及交叉弛豫现象的存在,导致上转换红光强度大于绿光强度。通过紫外-可见吸收光谱测试结果可知,随着Er3+掺杂浓度的增加,紫外吸收边先红移后蓝移,据此可分析掺杂离子的占位情况。通过对样品的CIE坐标的计算与分析,可知上转换荧光为单色橙光,并且随着掺杂Er3+浓度的增大,上转换荧光光谱的CIE坐标值绿移后不变。进一步证实了当掺杂Er3+浓度较大时,相邻Er3+之间存在交叉弛豫现象。
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