【摘 要】
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氮化镓(GaN)材料已成为宽带隙半导体材料中一颗璀璨的明珠,它的研究与应用是现今全球半导体研究的前沿和热点。目前,金属有机物化学气相沉积(MOCVD)是制备GaN 薄膜最为广泛的工艺。温度是MOCVD 系统中材料生长的一个至关重要的影响因素。本文具体研究了氮化镓薄膜生长中温度控制系统部分。被控对象是一个具有非线性、大惯性、纯滞后、多变量、时变参数的复杂温度系统,工作机理复杂。为了达到较高的控制精度
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氮化镓(GaN)材料已成为宽带隙半导体材料中一颗璀璨的明珠,它的研究与应用是现今全球半导体研究的前沿和热点。目前,金属有机物化学气相沉积(MOCVD)是制备GaN 薄膜最为广泛的工艺。温度是MOCVD 系统中材料生长的一个至关重要的影响因素。本文具体研究了氮化镓薄膜生长中温度控制系统部分。被控对象是一个具有非线性、大惯性、纯滞后、多变量、时变参数的复杂温度系统,工作机理复杂。为了达到较高的控制精度,本文设计建立了一种基于模糊规则切换的比例-模糊-PID(P-Fuzzy-PID)复
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