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基于Landau-de Gennes理论,本文使用了一维的有限差分迭代法研究了缺陷核为圆形核的+1缺陷与表面壁的相互作用。该表面壁的存在使强度为+1的点缺陷演化成垂直于样品表面的线缺陷,本文采用柱坐标系研究了包含有该缺陷的液晶薄层。首先,对圆环形的+1缺陷与表面壁的相互作用进行数值模拟,结果说明缺陷核心周围的液晶分子的自由能与表面壁产生的表面能存在相互竞争,使缺陷核周围的指向矢的极角在某一区域内发生显著的变化。该区域的尺度将会随着锚泊强度系数的增大而减小。接着,对液晶薄层施加垂直于表面即沿着缺陷线的