为了实现5G通信标准的高数据吞吐量、低延迟等技术指标,相控阵或波束成形的技术被引入到5G通信的收发机结构中,以空间复用的方式满足大量用户的高带宽通信需求,这就对高性能的相移电路提出了需求。本论文针对Ka波段这一热门的5G候选频段开展研究,采用CMOS工艺设计了一款用于可调相位生成电路,本设计采用注入锁定的LC交叉耦合振荡器并由模拟控制电压产生连续调节相位,电路可以实现高相位精度,同时提供较好的相位噪声表现。在芯片的实现中,考虑到无源器件常常占据较大芯片面积,本论文在保证注入锁定振荡器的良好性能的前提下进行了面积和功耗方面的优化。本文提出片上布置两个完全相同的压控振荡器,采用级联反相器结构将源振荡器的输出信号注入目标振荡器,通过调节两个振荡器各自的调谐电压,发生注入锁定时可以在调谐范围内产生所需频率和所需相位差的一对输出信号,实现单芯片的可调相位振荡信号输出。芯片采用GSMC 130nm CMOS工艺进行了流片验证,核心面积仅0.0385mm~2,仿真和测试结果表明电路在28.97-31.18GHz可以提供185.4度可调相位,调节精度为1.2°/mV。电路功耗为18.2mW。