第三代半导体GaN晶体，由于其特殊的物理、化学及良好的光学性能，在航空航天、探测、卫星等先进领域应用越来越广泛，因此对该晶体无缺陷生长及无损伤加工的要求也越来越高。由于其属于典型硬脆材料，超精密加工十分困难。现有对GaN晶体的加工方法，主要集中在刻蚀或利用碱性溶液对其进行电离等技术方法，这些加工方法条件要求苛刻，且加工效率不是很高，很难实现批量生产。　　 针对以上问题，本文尝试性的提出了一种对GaN晶体的CMP(机械研磨抛光)技术方法，选用特殊的研磨抛光液，对该晶体进行先研磨后精密抛光。这种方法加工设备比较简单，利于批量生产，且得到的晶片表面精度较高，晶片的内层损伤较小。本文的主要研究工作包括以下几个方面：　　 1．进行了单晶GaN晶片的研磨抛光工艺实验，研究了磨粒粒度、压力、研磨抛光时间及研磨抛光液等参数对GaN晶片质量的影响，通过实验分析，对工艺参数进行了合理选择，同时得到的晶片表面质量较高，表面损伤较小；　　 2．从单颗粒与晶片表面的微型接触模型入手，对单颗粒在加工过程中的受力、参与磨削的颗粒数量、磨粒对晶片表面的材料去除率等方面进行了理论分析。对晶片表面可能产生的化学反应进行了探讨，并分析了由于这种反应对晶片材料去除的影响；　　 3．应用扫描电子显微镜、纳米力学显微镜、X射线光电子能谱仪等仪器，对加工后的晶片结果进行了表面测试和亚表面损伤的检测分析，得到了不同工艺参数对GaN晶片表面产生的划痕深度的影响；同时利用纳米压痕仪器进行纳米压痕与划痕实验，与工艺实验相对照，研究表面损伤与受力之间的关系；对晶片的表面损伤与晶面的关系进行了初步研究，加工条件相同时，不同晶面的加工精度也不相同，为以后对GaN晶片的超精密加工提供参考依据；　　 4．本文重点在于利用一种新的抛光液对GaN晶片进行CMP方法加工，得到的晶片表面精度在0.8nm以下，这种加工方法对晶片结构与性能的影响较小，晶片能够满足目前的使用要求。