【摘 要】
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共振隧穿器件是基于量子隧穿现象的一种负阻器件.随着超大规模、甚大规模集成电路的飞速发展,器件线宽的不断减小,量子效应将不可避免地摆到人们面前,下一代集成电路的重要发
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共振隧穿器件是基于量子隧穿现象的一种负阻器件.随着超大规模、甚大规模集成电路的飞速发展,器件线宽的不断减小,量子效应将不可避免地摆到人们面前,下一代集成电路的重要发展方向之一就是共振隧穿二极管（RTD）.其峰谷间转换频率理论预计可达2.5THz,开关时间达1.6ps;完成一个异或（XOR）逻辑功能,TTL电路需33器件,CMOS需16个器件,而RTD只需4个器件.利用这些特点.RTD可在多态存贮、A/D转换、多值逻辑、分频、倍频等方面得到广泛的应用.由于RTD器件的快速发展和良好的应用前景,对RTD及其应用的研究显得越来越迫切.该论文从RTD设计理论、材料设计与制备、器件与电路的结构和工艺、RTD测试与分析方法、电路模型的建立、RTD及其相关器件HEMT和MSM的器件模拟、RTD应用电路方面对RTD进行了深入的研究.
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