本文基于晶体化学、材料物理化学、电介质物理等基础理论，运用XRD、TEM、EDX、SEM等现代微观分析手段，对亚微米钛酸钡超细粉料制备技术以及高介高性能X7R MLC瓷料和高压高性能X7R的介电性能进行了研究。1．全面分析了BaTiO3的细晶高介机理，即具有亚微米微观结构的钛酸钡陶瓷，晶粒大小均匀并保持在1微米以下，抑制了晶粒中90(畴的出现几率，晶粒内部处于高应力状态下，从而使居里点以下各温度点的介电常数上升，这种现象称为细晶效应，对于改善钛酸钡的电容量温度特性有重要的作用。当BaTiO3的晶粒尺寸约为0.7μm-1μm时，介电常数具有最大值。 2．采用共沉淀法、水热合成法可制得性能优良的BaTiO3超细粉体，平均粒径小于0.8μm，粒径分布范围窄，且不含硬团聚体，有利于制备介电性能优良的高介MLC瓷料。通过XRD分析，研究了不同热处理温度对共沉淀BaTiO3的晶格结构以及介电性能的影响，制备以四方相为主的BaTiO3粉料，提高系统的介电常数。3．在高介X7R MLC瓷料系统中，选用亚微米级的共沉淀BaTiO3为基，添加晶粒抑制剂Nb2O5、居里峰展宽剂MgO以及多种稀土氧化物，获得了细晶致密的微观结构和高介电常数及其他优良的介电性能。通过TEM、EDAX分析证实了Nb2O5在BaTiO3晶粒中的扩散速率很低，因此形成了独特的壳-芯结构，系统的介电性能是由铁电相BaTiO3晶芯和顺电相的掺Nb5+的 BaTiO3晶壳共同决定。电容量随温度的变化曲线出现双峰现象，改善了电容量温度特性。MgO的添加改善了负温区的电容量变化率，与Nb2O5协同作用加强了晶粒中壳的作用，增大了系统的内应力，从而提高了介电常数，使整个温区的电容量变化率变得平坦。稀土氧化物对钛酸钡基陶瓷的化学改性分为两种情况，即产生化学非均匀性的壳-芯结构系统和化学均匀性系统。掺杂呈现化学均匀性的稀土添加物有La2O3、Sm2O3和Nd2O3。La2O3 可以改善高温区的电容量变化率,电容量温度变化曲线呈现单一的峰值。Sm2O3抑制居里峰的作用较强，可以将居里峰值大幅度移向低温。Nd2O3对BaTiO3的改善作用强于前两种添加物，随着添加量的增加，整个低温段（低于20℃）的介电常数温度曲线变得平坦，基峰的强度提高。化学非均匀性的稀土添加物有Pr6O11、Gd2O3，其中Gd2O3的添加改性使系统获得了理想的介电性能，与其他离子的协同改性使系统成为具有高介高性能X7R介质瓷料。 <WP=3> 研制成功的高介细晶X7R瓷料介电常数大于4700，为制备高比容、超薄介质层的MLC奠定了基础。4．在X7R特性的高压MLC瓷料系统中，仍以亚微米级的共沉淀BaTiO3为基料，分别添加微量的CaZrO3、ZnO、SrCO3、MgO和稀土氧化物(Ho2O3、Er2O3或Y2O3)。 Ho2O3、Er2O3或Y2O3具有较小的离子半径，掺杂后可使BaTiO3系统的电滞回线明显变窄，剩余极化降低，从而使极化随电场变化时产生的能量损耗减小，同时能够增加系统的绝缘电阻率，增强BaTiO3在高电场下工作的可靠性，有效地提高耐压强度Eb。 MgO、CaZrO3对BaTiO3的居里峰展宽作用显著，ε峰值降低，ε温度特性平坦； ZnO熔点较低，微量掺杂时，聚集在晶界处，促进了烧结，并抑制晶粒的生长，形成致密瓷体，提高了系统的耐压强度。 研制成功的高压细晶X7R瓷料击穿场强高于14KV/mm，介电性能指标优于国外同类产品，并填补了国内空白。