射电噪AGN的光变对称性观测及谱指数数值模拟研究

来源 :山东大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:usa8577037
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
其他文献
作为一种直接带隙宽禁带化合物半导体材料,ZnO禁带宽度达到3.37eV,在可见光波段的透过率很高,可高达90%以上,且具有原材料丰富、价格低、无毒、易于实施掺杂,在氢、氮等气体的等离子体气氛中稳定性要优于ITO薄膜等优点。因此,ZnO基透明导电薄膜特别是其掺杂体系被认为是迄今为止最具发展前景的ITO薄膜替代品。对掺杂ZnO薄膜进行研究具有很大的现实意义和实用价值,因而引起了人们日益广泛的关注并成为
六方氮化硼(h-BN)面内晶格结构和石墨烯相同(失配度仅1.7%)、表面平整度高、化学性质稳定,用机械剥离的方法制备的石墨烯转移到h-BN衬底相比SiO2基底石墨烯中的电子迁移率要高出
本工作综合利用X射线粉末衍射、扫描电子显微镜和能谱分析技术,对Er-Co-Al三元系合金相图500℃等温截面进行了实验测定,确定了全成分范围的相关系。证实了500℃下,在Er-Co二元系
中国画凝聚着中华民族的智慧,具有鲜明的中国民族特色,是中国艺术的瑰宝,然而随着西方艺术思潮的涌入,中国画家在这一过程中不断接受西方艺术,开始借鉴西方艺术的有益成分,使