掺杂Bi<,4>Ti<,3>O<,12>铁电薄膜的制备及性能研究

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【摘要】

：

近年来,稀土元素Nd掺杂的钛酸铋(Bi_4Ti_3O_(12),简记为BTO)铁电薄膜因其具有较大的剩余极化强度(2Pr)、极好的抗疲劳特性、较低的结晶温度而成为目前最有可能替代传统含铅Pb(Zr,Ti)O3的薄膜材料,用来制备高密度非挥发性铁电随机存储器(NvFRAM)。然而对于这种铁电薄膜的制备工艺和掺杂的微观机理仍缺乏系统研究。本论文着重于借助拉曼散射光谱来研究铋层状钙钛矿结构铁电薄膜Bi_

【作者】

：

谭丛兵

【机构】

：

湘潭大学

【发表日期】

：

2007年05期

【关键词】

：

Bi4Ti3O12 拉曼频移 V掺杂 Mn掺杂铁电性能结晶温度

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