氮化铜薄膜是一种亚稳态的半导体材料，它是以共价键结合的，它的晶体是反三氧化铼型简立方的结构，氮化铜薄膜还具有较好的光电性能，它具有低温热分解的特性、较高的电阻率、无毒且原材料的价格便宜,在常温下的空气中很稳定的特点，这使它成为近年来微电子半导体和光存储等领域中新型的应用材料。光存储是受到光存储器的表面介质影响的，在光存储器上面有许多凹凸不平的小坑，当光照射到上面会出现不同的反射，计算机接收后转化为0和1的二进制信号就是光存储的原理。因此，针对氮化铜薄膜的这些特性进行光存储器的设计、制备及性能研究是非常有意义的。本文首先对基于氮化铜薄膜的光存储器的进行了设计，它们分别是基于氮化铜薄膜的一次写入型光盘、基于氮化铜薄膜的一次写入型双面光盘和基于氮化铜薄膜的一次写入型。然后，研究了它们利用磁控溅射的方法进行制备的具体过程。最后，对基于氮化铜薄膜的一次写入型光盘的样品进行了记录数据和读取数据的性能研究，对记录数据前后的光存储器进行了记录信息前后X射线衍射谱(XRD)分析、记录信息前后扫描电子显微镜图(SEM)分析和记录信息前后X射线能谱（EDS）分析，实验结果显示其具有良好的可行性和实用性，说明本论文对氮化铜薄膜的光存储应用研究是非常有意义的。