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随着电子元器件高集成和小型化的不断推进,在纳米尺度上获得对材料合成和加工性能的控制至关重要,因此对电介质材料的性能提出了更高的要求。传统的单一的介电材料,已远远不能满足现阶段的市场需求。因此,研究和制备具有高介电性能和机械柔韧性的聚合物基复合材料对现代电子设备和电气系统具有重要意义。本文以聚偏二氟乙烯-氯三氟乙烯(P(VDF-CTFE))作为柔性基体,采用钛酸钡作为高介电填充相,通过溶液共混法制备复合材料。通过填料的表面改性和形貌改变两种手段来制备高性能的聚合物基复合材料。主要内容如下:(1)通过可逆加成-断裂链转移(RAFT)聚合和随后的氨解反应的两步过程,合成了以巯基端基终止的聚(甲基丙烯酸十二氟庚酯)(PDFMA-SH)。然后通过“巯-烯”点击反应将氟聚合物接枝到BaTiO3(BT)纳米粒子的表面。制备了由核壳结构的PDFMA@BT杂化纳米粒子和P(VDF-CTFE)基体组成的新型纳米复合材料。系统地研究了含氟聚合物壳对填料分散性、填料与聚合物基体的相容性、介电性能和击穿强度的影响。结果表明,杂化纳米粒子与P(VDF-CTFE)基质之间的强界面粘附力使填料更均匀地分散在聚合物基质中。同时,两种组分之间的优异相容性提高了复合材料击穿强度并抑制介电损耗。(2)通过静电纺丝制备了高长径比的钛酸钡纳米纤维(BT NF)。为了进一步提高复合材料的击穿强度,利用St?ber法制备了SiO2包覆的SO@BT NF核壳型填料,通过溶液共混和流延法制备了不同填料类型的纳米复合材料,研究了填料形态和无机界面对复合材料介电性能和击穿强度的影响。无机纳米填料形貌的改变对提高复合材料的介电性能有显著效果。其中填料负载量在10 vol%时,SO@BT NF/P(VDF-CTFE)纳米复合膜的介电常数为35.62,而BT NP/P(VDF-CTFE)为19.42,提高了近一倍。而且得益于纳米纤维的各向异性,低含量纳米纤维的加入提升了复合材料的击穿强度,在BT NF表面涂覆SiO2后击穿强度增强效果更加明显。与未改性的BT NF相比,SiO2涂层的引入极大地改善了纳米复合材料的击穿强度和介电损耗。