【摘 要】
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该论文对硝酸根光催化还原进行了探讨,主要分两部分:第一部分为金属负载复合半导体Cu/MgTiO3-TiO2对硝酸根的光催化还原研究;第二部分为Ag/TiO2催化剂对硝酸根的光催化还原研
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该论文对硝酸根光催化还原进行了探讨,主要分两部分:第一部分为金属负载复合半导体Cu/MgTiO3-TiO2对硝酸根的光催化还原研究;第二部分为Ag/TiO2催化剂对硝酸根的光催化还原研究.从理论上对影响硝酸根还原的条件进行了选择和优化,并通过一些必要的物理表征手段,对光催化还原硝酸根的机理进行了探讨.1.金属Cu负载Cu/MgTiO3-TiO2复合半导体催化剂光催化还原硝酸根的研究该文首次利用浸渍焙烧的方法合成了金属负载复合半导体MgTiO3-TiO2并将其用于光催化还原硝酸根的研究.复合催化剂的XRD表明,TiO2表面上原位生成另一种半导体MgTiO3,并且MgTiO3的生成量与焙烧温度有关,焙烧温度越高,其生成量也越多.研究同时表明,这种耦合半导体结合金属负载的方法可以有效的阻止光生电子和光生空穴的复合,并能在空穴清除剂草酸钠的存在下产生高活性物质CO2·-从而加速光催化还原硝酸根的过程.2.金属银负载Ag/TiO2半导体催化剂光催化还原硝酸根的研究该文用光催化还原法制备的Ag/TiO2对光催化还原硝酸根的进行了系统研究.实验表明,这种方法制备的催化剂金属Ag能以纳米簇的形态均匀的分布在TiO2的表面上.随后,我们对几种空穴清除剂进行了比较,结果证明甲酸是最佳的选择.在给定的反应条件下,我们首次将光催化还原硝酸根的转换率在短短30分钟内提高到了98.4﹪,对理想产物N2的选择性达到了99.9﹪.
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