论文部分内容阅读
Hf同位素及沿β稳定线原子核结构性质研究
【机 构】
:
郑州大学
【出 处】
:
郑州大学
【发表日期】
:
2018年期
其他文献
以PbSe和PbTe为代表的IV-VI族窄带隙半导体材料具有一些独特的物理性质,如能带结构高度对称、重空穴带缺失,直接带隙位于布里渊区的L对称点、且具有正的温度系数关系等;IV-VI族
渝新欧贸易大通道是“一带一路”战略的重要组成部分。本文采用综合评分法分析了渝新欧贸易大通道的便利化水平,结果表明:德国段和波兰段的贸易便利化程度最高,其次是俄罗斯
氧化锌(Zinc oxide,简称ZnO)是禁带宽度为3.37eV的II-VI族宽禁带n型半导体氧化物。在室温条件下,ZnO的激子束缚能高达60meV,由于其优良的光学和电学特性,ZnO在发光二极管、气敏传感器、太阳能电池及压敏传感等领域具有重要应用。ZnO材料的结构和光电特性对于ZnO基器件的性能将产生重要影响。研究表明,掺杂方法可以制备出结构和光电性能更加优异的ZnO材料。本论文综述了掺杂Zn