掺杂大晶粒多晶Si薄膜的制备与电学特性

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【摘要】

：

多晶Si薄膜太阳电池由于具有高转换效率、性能稳定,以及低成本的优势,近几年成为太阳电池研究开发的热点。本工作首先利用太阳电池二维模拟软件,研究了少子寿命、扩散长度、表面复合速率等特性参数对太阳电池转换效率的影响,并指出了改进工艺的措施。采用高频感应加热化学气相沉积(HFCVD)和低压化学气相沉积(LPCVD)工艺,在SiO2、石英和蓝宝石等衬底上成功制备出大晶粒多晶Si薄膜。利用α台阶仪和扫描电子

【作者】

：

王侠

【机构】

：

河北大学

【发表日期】

：

2009年06期

【关键词】

：

多晶Si薄膜太阳电池大晶粒 LPCVD HFCVD 结构特征电学特性

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