相变存储器是利用脉冲电流的热效应使其记录层发生具有巨大阻值差异的可逆结构相变来记录和擦除数据。它具有非易失性、快擦写速度、高可靠性、低功耗、长寿命、制作工艺简单和与CMOS工艺兼容等优点,被视作为目前最有可能成为下一代存储器的主流产品。近几年相变存储器在记录材料、微制造工艺和器件性能上取得了迅猛的发展,然而关于相变存储器的测试技术与标准却没有得到足够的重视,目前国内外也没有一个完整的相变存储器测试方法。基于这一点,本文着重全面描述和比较相变存储单元的基本电性能表征和测试方法,并详细地阐述测试系统的搭建、相变存储芯片的封装技术以及芯片功能测试等内容。表征相变存储器单元电特性的主要参数包括晶态电阻、非晶态电阻、直流I-V特性、脉冲I-V特性、写脉冲与非晶化程度的关系、擦脉冲与晶化程度的关系、数据保持力以及擦写寿命等。选择高性能的探针台、半导体参数测试仪、高频示波器和DUT等配置搭建一个多功能的高精度的相变存储单元电性能测试系统,实现对上述表征参数的测量与分析,并分析了一些因素对相变存储单元电特性的影响。相变存储器芯片基本功能的测试主要包括:外围电路(MOS管、写擦电路及读电路等)和存储阵列等,选择高性能的半导体参数测试仪、NI数据采集卡、计算机、自制的纳秒脉冲发生器、恒压源及DUT等,设计了一台新颖的存储芯片基本功能测试系统,实现了外围电路性能的精密测量和芯片基本逻辑功能测试的组合,达到了全功能芯片测试的要求。另外,探讨了几种电极材料的引线键合的最佳工艺。