【摘 要】
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SnO_2是一种n型宽带隙半导体,不仅具有良好的化学稳定性,还同时兼顾高电导率及高可见光透射率,因此被广泛应用在透明导电薄膜领域。虽然SnO_2单晶是直接带隙半导体,但是由于其能带结构对称性的限制,使得电子在导带底和价带顶之间的跃迁是禁止的(禁戒跃迁),从而导致体SnO_2单晶无法发出带边紫外发光。然而,最近的国内外研究表明,通过纳米工程和掺杂工程这两种手段可以打破SnO_2单晶的禁戒跃迁规则的限
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SnO2是一种n型宽带隙半导体,不仅具有良好的化学稳定性,还同时兼顾高电导率及高可见光透射率,因此被广泛应用在透明导电薄膜领域。虽然SnO2单晶是直接带隙半导体,但是由于其能带结构对称性的限制,使得电子在导带底和价带顶之间的跃迁是禁止的(禁戒跃迁),从而导致体SnO2单晶无法发出带边紫外发光。然而,最近的国内外研究表明,通过纳米工程和掺杂工程这两种手段可以打破SnO2单晶的禁戒跃迁规则的限制,恢复带边紫外发光。本论文结合掺杂工程与纳米技术,开展了如下研究:(1)制备出Ag掺杂的SnO2纳米复合薄膜(SnO2:Ag/Ag nanocomposites),开展了Ag掺杂和表面等离子体协同提高薄膜及器件紫外光电性能的研究;(2)制备了SnO2纳米结构/ZnO:Li异质结发光二极管(LED),研究了SnO2纳米结构的形貌对LED发光性能的影响。以上研究取得了如下成果:1、利用激光快速退火制备了SnO2:Ag/Ag纳米复合薄膜。观察到了由于Ag掺杂导致的带尾吸收增强、电阻率增大、载流子浓度和迁移率降低的现象。2、利用简单的两步法制备了SnO2:Ag/Ag纳米复合薄膜,分别在500℃和900℃条件下退火处理,再结合光刻手段制备电极,获得了基于纳米复合薄膜的光探测器。与未掺杂的薄膜相比,基于SnO2:Ag/Ag纳米复合膜的光电探测器峰值响应度增强了约四倍。3、制备了SnO2纳米结构/ZnO:Li异质结发光二极管。利用气相沉积法制备具有纳米结构SnO2,并结合高压法制备的P型ZnO:Li制成发光二极管器件。在电流激励下,SnO2纳米带/ZnO:Li异质结发光二极管产生了谱线较宽的蓝光发射,而SnO2纳米线/ZnO:Li的异质结发光二极管则观察到较窄的紫外发光峰。
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