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本文采用离子注入复合沉积技术，在硅基片上制备了铜氧化物薄膜，通过改变通入气体种类、偏压等参数，在不同工艺条件下制备铜氧化物薄膜。 首先，利用XPS、XRD、AFM研究离子注入复合沉积铜氧化物薄膜的成分、相结构及表面形貌；利用纳米硬度计测量离子注入复合沉积铜氧化物薄膜的硬度及弹性模量；利用四探针方法测量铜氧化物薄膜的电阻；利用分光光度计研究铜氧化物薄膜的光吸收性能。制备工艺对薄膜的相成分有显著的影响,在只通入氩气的条件下，所获得薄膜的主要成分为铜单质。在通入氩气和氧气混合气，偏压小于1kV时，所获得薄膜的主要成分为氧化亚铜，薄膜的XRD图中没有发现氧化亚铜，氧化亚铜可能为非晶结构。