【摘 要】
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本文研究了CQDs/TiO_2材料及其作为电子传输材料在CsPbI_2Br无机钙钛矿太阳能电池中的应用。采用煅烧法制备碳量子点,水热法制备CQDs/TiO_2材料。采用旋涂法+退火法在FTO基体上依次制备CQDs/TiO_2薄膜及CsPbI_2Br无机钙钛矿薄膜。将其应用于电子传输层当中。采用XRD、SEM、TEM和红外光谱等分别对不同工艺制得产物的微观形貌、物相成分以及组织结构进行了表征,通过紫
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本文研究了CQDs/TiO2材料及其作为电子传输材料在CsPbI2Br无机钙钛矿太阳能电池中的应用。采用煅烧法制备碳量子点,水热法制备CQDs/TiO2材料。采用旋涂法+退火法在FTO基体上依次制备CQDs/TiO2薄膜及CsPbI2Br无机钙钛矿薄膜。将其应用于电子传输层当中。采用XRD、SEM、TEM和红外光谱等分别对不同工艺制得产物的微观形貌、物相成分以及组织结构进行了表征,通过紫外可见光分光光谱图、光致发光谱等对材料的光学性能进行表征,并测试器件J-V曲线对其光伏性能进行表征。探究了CQDs/TiO2材料作为电子传输层对钙钛矿太阳能电池光电性能的影响。本文通过一步煅烧法获得了尺寸均匀的CQDs。采用TiCl4水解法制得了结晶性良好、颗粒大小均一的纳米TiO2粉体。并通过水热反应,以CQDs及纳米TiO2粉体为原料,通过改变水热反应的温度、时间、原料质量比等参数,得到形貌可控和具有不同光学性能的CQDs/TiO2复合材料。采用旋涂法+二次退火方法制备CsPbI2Br钙钛矿薄膜为光吸收层,研究了分步退火时间对CsPbI2Br薄膜形貌以及光学性能的影响,并得到了表面质量良好的CsPbI2Br薄膜。并以TiO2作为电子传输材料,制备常规钙钛矿太阳能电池器件,测试器件J-V曲线对其光伏性能进行表征,得到最优器件的短路电流为11.26 mA/cm2、开路电压为0.96V,光电转换效率为4.39%。进一步以不同工艺下得到的6种CQDs/TiO2制备薄膜作为电子传输层,以CsPbI2Br作为光活性层、以Spiro-OMeTAD作为空穴传输层,制备结构为FTO/(CQDs/TiO2)/CsPbI2Br/Spiro-OMeTAD/Au的太阳能电池器件,得到最优的光电转换效率为5.01%。与传统TiO2作为电子传输层的器件相比,光电转换效率最高提升了12.3%。
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