【摘 要】
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近年来,具有高密度、高速度和低功耗等特点的非挥发性存储器件在存储器的发展过程当中占据着越来越重要的地位。而在众多的新型非挥发性存储器中,阻变存储器展现出优越的微型化潜能、较快的工作速率、较低的能量功耗及较高的擦写次数等优势,故其被认为是取代传统存储器的最有利竞争者之一。随着器件的特征尺寸逐渐减小,碳纳米管优越的电学、热学性能及纳米量级的尺寸对于解决阻变存储器尺寸限制提供了途径。因此本文主要对碳纳米
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近年来,具有高密度、高速度和低功耗等特点的非挥发性存储器件在存储器的发展过程当中占据着越来越重要的地位。而在众多的新型非挥发性存储器中,阻变存储器展现出优越的微型化潜能、较快的工作速率、较低的能量功耗及较高的擦写次数等优势,故其被认为是取代传统存储器的最有利竞争者之一。随着器件的特征尺寸逐渐减小,碳纳米管优越的电学、热学性能及纳米量级的尺寸对于解决阻变存储器尺寸限制提供了途径。因此本文主要对碳纳米管电极在阻变存储器件中应用进行了探索,具体内容如下:本文通过热CVD的方法,主要从衬底退火工艺、催化剂的
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