二维磁性CrX₃（X=Cl,I）晶格作为下一代的自旋电子器件的潜在应用者,吸引了无数科研工作者的研究兴趣。本文基于第一性原理,采用了GGA和GGA+U的方法研究了CrX₃（X=Cl,I）体系的电磁性质,并对其单层CrX₃（X=Cl,I）晶格进行了改性研究,在载流子掺杂和空位缺陷研究中二维CrX₃（X=Cl,I）晶格发生半导体/绝缘体-半金属的转变,我们对CrCl₃和CrI₃体系的研究如下:（1）在CrI₃的体系中,我们发现,体相的CrI₃是一类范德瓦尔斯键合层状化合物,剥离能的计算结果表明我们可以通过剥离的方法获得单层CrI₃二维晶格。单层CrI₃二维晶格与其体相一样都是磁性绝缘体。在载流子掺杂研究中,我们发现,电子掺杂和空穴掺杂都可以使单层CrI₃二维晶格转变为半金属。在空位缺陷研究中发现,Cr空位缺陷可以使其转变为半金属,且与其Cr空位浓度无关。（2）在CrCl₃的体系中,我们的计算表明,体相的CrCl₃的结构与CrI₃类似,同样可以在体相CrCl₃剥离获得单层CrCl₃二维晶格。单层CrCl₃二维晶格是铁磁性半导体,在载流子掺杂的研究中发现,通过一定浓度的电子掺杂或空穴掺杂可以使其发生半导体-半金属的转变。此外,电子掺杂或空穴掺杂都可以提高其铁磁耦合稳定性,并且空穴掺杂提高铁磁稳定性的效果是电子掺杂的三倍。在空位缺陷研究中发现,Cr空位掺杂可以增强其铁磁有序性,并且引入Cr的空位缺陷同样会使其转变为半金属。