铁电薄膜具有优良的铁电、介电、压电、热释电等一系列特殊性能，可以利用这些特性制作不同的功能器件，人们希望通过铁电薄膜材料与其它材料的集成或复合，制作集成型器件。如：研究者希望在集成电路能够承受的较低温度下，实现铁电薄膜与硅IC器件的单片集成。 但是，目前铁电薄膜的制备工艺一般要经过600℃以上的热处理，然而硅MOS器件所能承受的最高温度为450℃。本文的主要工作就是利用磁控溅射法寻求在低于450℃的温度下原位溅射沉积钙钛矿相铁电薄膜。本实验的主要结果有： （1）在Si（111）基片上溅射沉积LNO薄膜电极，XRD测试表明LNO薄膜呈现（110）择优取向； （2）在制备好的LNO的LNO／Si基底上，原位沉积PZT薄膜，通过优化工艺，最后在260℃的基底上成功地制备了具有较好电滞回线的钙钛矿相铁电薄膜。TD-88A标准铁电测试系统测试表明：当测试电压为5V时，其剩余极化达23.1μC／cm²，漏电流仅4.21×10^-8A。