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磁性半导体材料是一种新型的信息材料,它利用电子的电荷和自选特性,兼具半导体和磁性材料的性能,在信息存储、处理以及传输方面起着非常重要的作用。本文所研究的化合物在化学成分上含有稀土元素、半导体元素Ga、 Sn以及少量掺杂的过渡族金属元素Mn、Co。在对前人文献调研的基础上,本文设计了名义成分为GdGa3-xMnx(x=0,0.1,0.2,0.3)、ErGa3-xMnx(x=0,0.1,0.2,0.3) NdSn3-xCox(x=0,0.1,0.2,0.3)、SmSn3-xCox(x=0,0.1,0.2,0.3)的十六个样品,希望从相结构和磁性能的角度展开对磁半导体的研究。采用了非自耗电弧炉在氩气气氛下熔炼试样,所用原料纯度均大于99.99%。对样品进行了晶面尝试法和最小二乘法指标化,在指标化结果基础上对样品进行了Rietveld法结构精修。结果表明：名义成分为GdGa3-xMnx(x=0,0.1,0.2,0.3)的化合物主相为GdGa2型化合物,空间群为P6/mmm。化合物中Mn原子取代Ga原子占据2d(1/3,2/3,1/2)晶位,Gd原子占据1a(0,0,0)晶位。名义成分为ErGa3-xMnx(x=0,0.1,0.2,0.3)的化合物主相为ErGa3型化合物,空间群为P/m3m。化合物中Mn原子取代Ga原子占据3c(0,1/2,1/2)晶位。名义成分为NdSn3-xCox(x=0,0.1,0.2,0.3)的化合物主相为NdSn3型化合物,空间群为P/m3m。随着Co元素掺杂量的增加,晶格常数a和晶胞体积V呈现单调递减,Co对Sn元素进行了取代。名义成分为SmSn3-xCox(x=0,0.1,0.2,0.3)的化合物的衍射峰中出现了未知相X,对其的指标化结果表明未知相X呈简单立方结构,并计算了不同成分掺杂下的晶格常数和晶胞体积。本文还用振动样品磁强计(VSM)测量了NdSn3-xCox、SmSn3-xCox体系样品的磁化曲线。结果表明：在Nd-Sn-Co体系中的NdSn2.7Co0.3样品呈现出混合磁性。在Sm-Sn-Co体系中：SmSn3、SmSn2.9Co0.1呈现顺磁性,SmSn2.8Co0.2呈现混合磁性,SmSn2.7Co0.3呈现铁磁性。本文的最后,指出了研究中的问题和将来进一步深化的挑战。