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多层陶瓷电容器(MLCC)是电子信息技术的基础器件,目前广泛应用的X7R材料只能在125℃以下使用,无法满足更高温度介电性能的稳定性要求。在航天航空、汽车工业、军事移动通讯等特殊领域的应用中,要求其工作温度上限提高到150℃以上,因此研究和开发工作温度更高、温度范围更宽的MLCC介电材料是国内外研究的重点。本论文针对上述问题,重点比较两种混合方式的(1-x)BaTiO3-xBiYO3(BT1-BY,BT1：四方率c/a=1.0059,x=0-0.1)陶瓷的结构、介电性能及阻抗谱分析。研究发现,当加入相同的BiYO3时,用直接混合法制备的(1-x)BT1-xBY介质陶瓷比间接掺杂的晶胞参数稍大,居里温度更高,陶瓷晶粒和晶界的等效电阻更高,绝缘性更好；随着BiYO3含量增加,介电峰被压低且展宽,体系表现出明显的弥散相变,相变温度先增大后减小,直接混合法制备的0.97BT1-0.03BY体系高温端的容温变化率最好。用传统固相法制备(1-x)BaTiO3-xBiYO3(BT2-BY, BT2:四方率c/a=1.0101,x=0.07-0.2)陶瓷,研究(1-x)BT2-xBY陶瓷的结构及介电性能,BiYO3的加入使BT2基陶瓷介温峰被压低且变得弥散。0.9BT1-0.1BY体系相比0.9BT2-0.1BY体系的晶胞参数更大,介电常数较大,但温度稳定性更差。MgO掺杂0.97BT1-0.03BY体系能有效的增强低温端的温度稳定性,本论文着重讨论了MgO掺杂BT1-BY体系对结构及介电性能的影响,都能得到符合X8R要求的介质陶瓷。当掺杂量为2.2mo1%,得到性能最优,1kHz频率下,ε=1617,tanδ=1.3%,AC/C25-c<±15%温度范围-55-+155℃。用BiYbO3进一步改性BT2-BY陶瓷,研究(1-x)BaTiO3-xBiY0.5Yb0.5O3(BT2-BYYb)结构、介电性能及弛豫特性。随着x含量的增加,介电峰被压低且变得更为平坦,Tm先减小后增大,介温谱相对(1-x)BaTiO3-xBiYO3体系更加弥散,温度稳定性更好,最好的性能组分为0.89BT2-0.11BYY体系及0.88BT2-0.12BYYb体系,在1kHz下的性能参数分别为：ε=1330,tanδ=0.0076,AC/C25℃≤15%温度范围-55-+150℃及ε=1032,tanδ=0.012,ΔC/C25℃≤15%温度范围-55-170℃。