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对于压电陶瓷材料,目前世界上广泛应用的是传统的PbZrTiO3体系。这类材料具有非常好的压电性能,然而含有毒性物质PbO,且比例高达70%,因此开发出新型的无铅压电陶瓷以取代PZT基压电材料是当今世界该领域的重要课题。(K0.5Na0.5)NbO3基压电陶瓷由于具有高的居里温度,较好的压电性能,优越的环境协调性近年来作为电光材料受到重视。然而该体系陶瓷难于烧结致密,极大地限制了其电学性能。本文结合A、B位取代掺杂、添加助烧剂、织构化处理等措施试图改善KNN基压电陶瓷的电学性能。本