磁性斯格明子因其具有尺寸小、拓扑稳定性高、寿命较长以及能在超低电流密度驱动下高速运动等优势,在许多领域尤其是信息存储方面具有巨大应用潜力,引起了广泛关注。然而,目前人们对斯格明子的认识和研究还不够深刻,特别是在推动其相关器件的应用化上依然存在很多问题和挑战。其中技术上最大的挑战之一就是如何在电流驱动斯格明子时消除斯格明子霍尔效应的影响。而反铁磁斯格明子由于其拓扑特性以及比铁磁快得多的响应速度成为了替代铁磁斯格明子的更好的选择。本文根据目前国内外对于磁性斯格明子的研究现状以及微磁学模拟的基础,构筑出解析理论模型,自行编写可以用于模拟研究反铁磁材料中磁矩的磁化过程的程序,以及对反铁磁斯格明子的结构性质与各材料参数间的关系进行探索,并运用自编程序来进行反铁磁斯格明子的微磁学模拟予以验证,为实验上对反铁磁斯格明子的制备提供一定程度的参考,也为实际应用时精准控制反铁磁斯格明子的大小以及后续操控提供了理论依据,填补了相关领域的一项空白。本文主要内容将涉及斯格明子的性质介绍、微磁学理论基础的研究、程序编写算法、程序调试验证、以及用解析法分析反铁磁斯格明子的结构性质与各材料参数间的定量关系,并用微磁学模拟方法予以验证。