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根据反铁电薄膜在电场作用下产生的电致应变效应及其在微机电系统(MEMS)悬臂梁驱动器中的应用可知,反铁电薄膜具有大位移、响应速度快,耗能少等优点,这些优点可以显著提升MEMS薄膜驱动器的驱动性能,并可以实现非线性的位移。本论文根据反铁电薄膜的这些特性提出一种以(Pb0.99Nb0.02)[(Zr0.85Sn0.13Ti0.02)]0.98O3(PNZST)反铁电薄膜为驱动材料的反铁电式MEMS薄膜驱动器。通过PNZST反铁电薄膜的制备,研究分析了反铁电材料的微结构、电学性能等特性,再结合MEMS加工工艺完成反铁电式MEMS薄膜驱动器的集成制作,并对该MEMS薄膜驱动器的驱动性能进行测试分析。首先用射频磁控溅射(RF)的方法在硅基底上溅射LaNiO3(LNO)下电极,再采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在LNO/Si基底上制备不同层数的PNZST反铁电薄膜并表征测试分析。X射线衍射仪(XRD)表征结果表明所有薄膜均呈现(120)/(002)晶面族的择优取向生长呈钙钛矿相结构。原子力显微镜(AFM)测试显示表面粗糙度在30 nm左右,晶粒尺寸约为200 nm左右。铁电测试结果表明PNZST反铁电薄膜呈现典型的反铁电双电滞回线图形,然后分别研究了层数和外界环境温度对PNZST反铁电薄膜的反铁电-铁电相变、电荷储能、介电等性能的影响,为反铁电式MEMS薄膜驱动器的制作提供了技术支持。通过结合MEMS加工工艺完成了反铁电式MEMS薄膜驱动器的制作,对制作的圆形平行板式电极和叉指状电极的两种薄膜驱动器分别测试了的薄膜中心点位移的频率响应特性和驱动电压与振动位移的关系,结果表明在足够的驱动电压下,反铁电式MEMS薄膜驱动器的可以实现非线性双稳态运动。