本实验首先采用溶胶—凝胶法制备出TiO₂溶胶，进而利用旋涂法在玻璃基片上成功制备出纯纳米TiO₂薄膜和掺杂Ce的纳米TiO₂薄膜，并且从溶胶组成，溶剂，水量等多方面分析了它们对溶胶—凝胶法制备TiO₂薄膜的影响。给出了旋涂法制备薄膜时薄膜层数和厚度以及附着力和厚度的关系。由于大量溶剂蒸发产生残余应力，薄膜焙烧时容易龟裂，实验过程中发现溶胶中添加适量聚乙二醇可以有效防止薄膜在焙烧过程中发生龟裂。对薄膜进行了450℃～550℃温度的热处理，XRD测试分析表明，纯TiO₂薄膜均为锐钛矿和金红石的混相结构，而掺杂Ce的薄膜均为锐钛矿结构。表明掺杂Ce可以提高TiO₂的相变温度，抑制TiO₂由锐钛矿向金红石状态转变，粒径分析表明，各种制备条件下的薄膜粒径均为纳米量级，掺杂Ce可以显著控制薄膜粒径的生长。 制备了TiO₂薄膜氧敏元件。利用气体敏感测试仪对元件的氧敏、阻温、掺杂与电阻的关系进行了测试。结果表明TiO₂薄膜具有一定氧敏特性，掺杂Ce可以降低薄膜电阻，在氧气浓度30％～45％时能够明显提高氧敏特性。TiO₂薄膜电阻受环境温度的影响显著，随温度升高而增大，呈现正温度系数特性。 对薄膜进行了紫外光波段的吸收测试，薄膜对270nm～350nm波段的紫外光有明显吸收，随着Ce掺杂浓度的增加，吸收明显增大。