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本文第一次成功制备出热电性能稳定的纳米晶VO2±x陶瓷。
本文讨论了VO2±x(0.000≤x≤0.005)陶瓷的制备条件、组成和微观结构对电性能的影响。研究中应用化学分析法、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、差热扫描量热法(DSC)和恒流四电极法测定VO2±x陶瓷的组成、微观形貌和电阻率-温度曲线。
本文通过AFM照片显示了上述方法制备的VO2±x陶瓷由1～5μm的团聚体组成，团聚体中的晶粒呈纺锤状，大小约为50×90nm。这种结构大大地减少晶粒的相变应力并能很好地松弛整个陶瓷的相变应力，使陶瓷电性能稳定。