本文采用经验紧束缚近似方法研究了SiH₂在Si（100）-c（4×2）表面单空位处的吸附结构、0.5ML覆盖率氢化的硅表面结构以及附加硅原子在H-terminated Si（100）表面的沉积吸附行为。本文首先计算分析了SiH₂、SiH₂+H和SiH₂+2H等硅烷分解后的产物在硅表面的吸附特性，我们发现每种情况都有三个可能吸附的位置，并且表面附着氢原子的出现可以造成这些吸附位置相对稳定性的逆转。其次本文还计算得到了c（4×4）和同侧吸附两种稳定的0.5ML的H-terminated Si（100）-p（2×2）表面结构，从理论上论证了实验上观测到的Si（100）-p（2×2）基底上形成的H-terminatedSi（100）-c（4×4）结构。同时，本文研究了附加硅原子在理想H-terminated Si（100）表面的沉积扩散行为，计算得到了一系列沉积点和可能的扩散路径；讨论分析了扩散行为的各向异性以及氢覆盖率对各向异性影响的规律，并且发现附加硅原子在H-terminated Si（100）表面上的扩散势垒比在清洁Si（100）表面上的高，我们认为这主要是因为氢原子饱和了表面上硅原子的悬挂键，提高了扩散势垒。本文最后研究了附加硅原子在有缺陷的H-terminated Si（100）表面的沉积扩散行为，发现H-terminatedSi（100）表面的单空位是附加硅原子理想的沉积点，并且随着结构的拓扑周期变短，附加硅原子跳出单空位也将更加困难。