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ZnO在光电子等领域有着广阔应用前景,具有巨大的市场潜力,已经成为继GaN之后光电子领域的又一研究热点,引起了世界各国科研界和光电产业界的高度重视。然而,制备可重复的、稳定的、低电阻的、器件级p型ZnO材料是ZnO研究中面临的主要挑战。本论文介绍了一种新型的p型ZnO薄膜制备技术——采用等离子体浸没离子注入(PⅢ)与共掺相结合的技术制备p型ZnO薄膜。首先通过磁控溅射技术生长掺Al的n型ZnO薄膜(AZO),将获得的AZO薄膜置于PⅢ腔体内的样品台上,腔体抽真空。之后,在腔体中通入含N的工作气体,使