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CuW复合材料因具有优良的导电导热性和低的热膨胀系数而被广泛地用作电触头材料、电子封装和热沉材料。由于W、Cu熔点相差很大且不互溶,通常采用熔渗法来制备。熔渗时如何有效地降低骨架相在熔渗液相中的溶解度和熔渗液相对骨架的侵蚀是熔渗技术中急需解决的问题之一,而熔渗的好坏直接与液固间的润湿性有关。目前国内外尚无有关影响Cu/W间润湿性因素的详细报道,鉴于此本课题采用座滴法分别研究了温度、Ni和Cr含量、不同的气氛和静电场强度对铜合金与W间润湿性的影响,同时也初步研究了温度、Cr含量对CuCr/Mo间润湿性的影响,旨在优化熔渗工艺,为熔渗技术的推广和应用提供理论基础。首先,分别测量了1100℃、1200℃真空中不同Cr含量的CuCr合金在W、Mo板上的润湿角和1150℃、1250℃、1350℃氩气下不同Ni含量的CuNi合金在W板上的润湿角,分析了Cr、Ni含量和温度对润湿性的影响并阐述其机理。结果表明:Cr、Ni为表面活性元素,Cu中添加Cr、Ni后可降低Cu在W、Mo上的润湿角,且角度随Cr、Ni含量的增加而降低;同一成分的铜合金与W、Mo间的润湿角随温度的升高而降低。用EDS和EPMA对界面进行微观分析,发现系统润湿性的改善与座滴/基板间的元素扩散程度有关,升高温度有助于提高元素间的扩散能力。作者认为此时的润湿机制是扩散固溶润湿,它可看成反应润湿与非反应润湿的复合体,降低了固液界面张力。其次,分别系统地研究了不同气氛对Cu/W、CuCr/W间润湿性的影响。对于Cu/W系统,Ar、N2和真空中的试样表面有氧化,润湿性不好;从防氧化的角度看,实际生产应采用H2环境下制备。对于CuCr/W系统,真空环境下的润湿情况最好,Ar条件下次之;因Cr易吸氢且与氮反应生成了阻碍润湿的陶瓷相,所以H2、N2下润湿效果不好。此环节说明,对于制备CuWCr复合材料应结合实际情况选取适宜的气氛。气氛中基板表面形成的先驱膜可改变液相前沿的微观结构,在一定程度上促进润湿。最后,研究了静电场强度对CuCr/W润湿性的影响,发现静电场可改善CuCr/W间的润湿性。通过采用唯象理论分析,电场可降低固液界面能,促进元素间扩散,最终导致润湿角的降低。通过推导润湿角与界面吉布斯函数变ΔG的关系进一步阐述了界面能的降低对润湿性的促进作用,电场对金属间润湿性的影响还有待进一步研究。