本文对采用氧化物电子陶瓷工艺制备的高磁导率MnZn铁氧体磁芯在工业生产条件下与承烧材料之间的相互作用关系进行了研究分析，并初步探讨了磁导率的温度稳定性问题。其中重点对比了不同承烧材料烧结的底层磁芯性能特征、成分偏析程度、微观和物相结构，讨论了配方、掺杂和致密烧结工艺对高磁导率MnZn铁氧体μ_i～T特性的影响。对铁氧体磁芯与承烧材料之间的相互作用关系分析结果表明，工业生产中由莫来石承烧的底层磁芯基本磁性能相较中层磁芯性能偏差严重的主要原因是表层区域的成分偏析问题。这种成分偏析主要由莫来石组分中的Si渗透和磁芯组分中的Zn耗散引起；Si的渗透深度约为100μm，Zn的耗散深度约为200μm，其耗散途径包括ZnO热分解产生的Zn高温挥发和ZnO与莫来石另一组分Al₂O₃之间的直接、间接化学反应，即ZnO→Zn（gas）+1／2O₂，ZnO+Al₂O₃→ZnAl₂O₄，Zn（gas）+1／2O₂+Al₂O₃→ZnAl₂O₄。从抑制异质物质渗透和减小Zn耗散程度出发，可以考虑使用ZrO₂板、同类型磁片和ZnO板代替莫来石作为铁氧体磁芯的承烧材料，这四种承烧材料烧结的底层磁芯起始磁导率分别可以达到中层磁芯起始磁导率均值的80％、90％、50％和65％左右；由于接触表面层的微观形貌状况和成分偏析程度不同，因此经由以上几种承烧材料烧结的底层铁氧体磁芯μ_i～T特性也具有一定差别，ZrO₂板承烧底层磁芯的μi值受温度变化的影响较大，ZnO板承烧底层磁芯的起始磁导率Ⅱ峰对应温度点T_smp出现在较低的温度区域。对MnZn铁氧体材料磁导率温度稳定性的研究结果表明，材料体系的磁晶各向异性常数K₁决定起始磁导率的Ⅱ峰位置，微观形貌对温度系数α_μi有一定影响。增大主配方中Fe₂O₃和ZnO的含量能够使Ⅱ峰位置移向低温区域；添加TiO₂也能获得相似的结果，其原因是Ti⁴⁺进入晶格结构取代Fe³⁺产生Fe²⁺，即2Fe³⁺→Fe²⁺+Ti⁴⁺；对掺入Co₂O₃的情况，可以肯定其具有明显降低材料起始磁导率的作用，少量掺杂对磁导率Ⅱ峰位置的影响程度并不明显；致密烧结不能改变材料起始磁导率的Ⅱ峰位置，但对于在预烧料中添加小剂量Co₂O₃的情况，通过分段保温的致密化烧结方法可以在一定程度上改善材料的微观形貌，提高μ_i值，从而改变材料的温度系数α_μi。