ZnO基薄膜的制备及其紫外光电导特性研究

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ZnO是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,它具有良好的化学稳定性和热学稳定性。在室温下,它的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV。所以它在光电技术方面的应用成为当今研究的热点,同时在短波长发光器件,压电器件,光探测器件以及太阳能电池等领域有着广泛的应用。本论文阐述了ZnO薄膜的各种制备技术及原理,并概括了ZnO薄膜研究的最新进展。在石英衬底上采用射频磁控反应溅射的方法沉积ZnO薄膜,并采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见光谱分析等方法对不同氧氩比、不
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