本文应用MOCVD生长方法进行了Mgδ掺杂AlGaN材料的生长,并对生长之后的样品进行结晶质量、表面形貌、电学性能、杂质原子浓度分布等方面的表征与分析。1、对于均匀Mgδ掺杂的AlGaN材料的分析,得到以下研究结果:(1)薄膜结晶质量随着退火温度增加而降低;(2)当温度为900℃时,表面原子会开始逃逸,当温度低于800℃,热退火提供不了打破Mg-H络合物的能量;(3)获得了最佳的退火温度:850℃以及室温下Mgδ均匀掺杂Al0.25Ga0.75N的最佳电阻率:4.37Ωcm;(4)退火除了造成Mg-H络合物的分解之外,也会降低O原子浓度,从而增加p型AlGaN电学性能。2、我们通过生长了不同Ⅴ/Ⅲ值的Mgδ掺杂法生长的AlGaN样品,并与均匀掺杂的样品进行对比,得到了一系列分析结果:(1)与均匀掺杂相比,Mgδ掺杂法能有效的降低表面活性,使得Al/Ga原子在薄膜表面扩散长度更长,更倾向于二维生长,其结晶质量和表面形貌都更加完美;(2)Mgδ掺杂法还能有效的降低掺杂层中Mg-H络合物的数量,降低Mgδ的激活能,提高空穴浓度,降低材料的电阻率;(3)我们通过分析,最后得到850℃为Mgδ掺杂Al0.25Ga0.75N的最佳退火温度,而且得到最佳的Mgδ掺杂法Ⅴ/Ⅲ值:3220,其在室温下得到最低的电阻率:1.92Ω·cm。