硅基SiO<,2>薄膜材料的制备与特性研究

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本文在综述硅基SiO<,2>薄膜研究进展、表征方法、研究方法的基础上,着重研究射频溅射法制备硅基SiO<,2>薄膜的工艺,发展该类薄膜制备的新技术,同时对薄膜进行特性分析与研究,得出有关结论并提出一些改进方法。 采用射频溅射法在Si基上淀积SiO<,2>薄膜,然后在空气气氛中在不同的实验条件下高温处理后,制得了膜厚为618A均匀致密的无定形SiO<,2>薄膜。最后利用原子力显微镜(AFM)、X射线粉末衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和台阶仪等仪器对SiO<,2>膜的形貌、结构、成份及化学配比进行了测试分析。 通过本论文的研究,用射频溅射法在硅片上制备优质SiO<,2>薄膜,仍需在工艺控制包括淀积条件、退火方式的选择等方面作进一步的研究与改进。
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