【摘 要】
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二硫化钼(MoS_2)作为过渡金属二维化合物,现今已成为类石墨烯二维材料的研究热点之一,在电子学、光学等领域引起了人们的广泛关注。单层MoS_2拥有直接带隙结构,很好地解决了石墨烯零带隙的困扰。因此,单层MoS_2凭借着优异的性能在场效应二极管等晶体管制造方面得到广泛应用,在光学传感器方面,也正在被热烈地探索中。本文主要以第一性原理计算的方法对单层MoS_2及其掺杂体系的电子结构和光学性质进行了对
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二硫化钼(MoS_2)作为过渡金属二维化合物,现今已成为类石墨烯二维材料的研究热点之一,在电子学、光学等领域引起了人们的广泛关注。单层MoS_2拥有直接带隙结构,很好地解决了石墨烯零带隙的困扰。因此,单层MoS_2凭借着优异的性能在场效应二极管等晶体管制造方面得到广泛应用,在光学传感器方面,也正在被热烈地探索中。本文主要以第一性原理计算的方法对单层MoS_2及其掺杂体系的电子结构和光学性质进行了对比研究。本论文首先对本征1H型单层MoS_2进行优化,并在优化的基础上得到其能带结构和态密度,我们得到的
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