【摘 要】
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与GTR、MOSFET相比,IGBT具有输入阻抗高、开关速度快、通态电压低、电流容量大和驱动功率小等特点。这些特点已经被广泛应用于变频器中,使变频器产品具有更高可靠性、也使其
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与GTR、MOSFET相比,IGBT具有输入阻抗高、开关速度快、通态电压低、电流容量大和驱动功率小等特点。这些特点已经被广泛应用于变频器中,使变频器产品具有更高可靠性、也使其结构更加紧凑。IGBT驱动器技术作为IGBT应用中关键技术之一,其设计好坏关系到IGBT在变频器系统中应用的可靠性、效率和安全性能。本文在阐述IGBT的结构、工作特性的基础上,分析了其驱动电路的基本要求和保护要求,以及在驱动电路设计中,分析运用光电耦合和脉冲变压器实现IGBT隔离驱动方式的优缺点,然后采纳了一种新颖的隔离驱动技术——基于无磁芯变压器的IGBT隔离驱动技术,分析了无磁芯变压器技术的原理及脉冲信号的传输。应用实例是针对低成本小功率通用变频器的逆变单元IGBT模块,提出基于无磁芯变压器隔离技术驱动芯片2ED020I12-F完整的驱动电路设计。并且为驱动电路搭建试验平台,对其驱动和保护功能进行性能测试和验证,最终将驱动电路接入变频器主电路中验证其可行性。实验验证了该驱动保护电路具有硬件电路简单、体积小巧、性价比高的优点,并投入实际应用中。
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