本文以激光与物质相互作用及等离子体产生原理为理论基础，对激光作用固体靶材激发等离子体谱进行理论分析，并对激光作用单晶Si所产生的等离子体谱进行了实验研究。利用波长为1064nm，采取二倍频，使激光器输出波长为532nm，脉冲宽度为10ns的固体Nd:YAG调Q激光器，构建了激光作用单晶Si的等离子体实验测试系统。利用峰值功率较高的脉冲激光实现等离子体的激发，由光纤探头将散射光信号耦合进入光谱仪，并输入计算机进行分析。根据获得的等离子体光谱图识别单晶Si的新生成物质，通过改变激光器的输出能量，绘制等离子体强度与激光器输出能量的关系曲线图。根据等离子体测温理论及玻尔兹曼分布，计算出单晶Si的等离子体电子温度，并绘制曲线图。利用电子显微镜观察激光对单晶Si的损伤形貌，同时用示波器实时监测记录其脉冲信号图。本论文采用的是光谱法监测激光对物质的破坏过程，并对谱图进行了理论分析，这对激光与物质相互作用的研究具有重要意义。